PN结

1.2.1 PN结的形成

        将一块P型半导体和N型半导体紧密连接在一起，这种紧密连接不能有缝隙，是一种原子半径尺度上的紧密连接。此时将在N型半导体和P型半导体的结合面上形成如下物理过程。

1.2.2 PN结的单向导电性

实验：PN结的导电性。

PN结具有单向导电性，若P区的电位高于N区，电流从P区流到N区，PN结呈低阻性，所以电流大；若P区的电位低于N区，电流从N区流到P区，PN结呈高阻性，所以电流小。如果外加电压使：

PN结P区的电位高于N区的电位称为加正向电压，简称正偏；

PN结P区的电位低于N区的电位称为加反向电压，简称反偏。

1.2.2.1 PN结加正向电压时的导电情况

PN结加正向电压时的导电情况如下：

1.2.2.2 PN结加反向电压时的导电情况

PN结加反向电压时的导电情况如下：

1.2.3 PN结的电容效应

PN结具有一定的电容效应，它由两方面的因素决定。一是势垒电容CB ，二是扩散电容CD ，本课程仅介绍势垒电容CB。

势垒电容是由空间电荷区的离子薄层形成的。当外加反向电压使PN结上压降发生变化时，离子薄层的厚度也相应地随之改变，这相当于PN结中存储的电荷量也随之变化，犹如电容的充放电。

一般利用势垒电容制成一个电容器，其上加的反向电压不同，PN结就具有不同的电容量，这种器件称为变容二极管，用途很广。