功率半导体器件驱动专用集成电路概述

功率晶闸管移相触发专用集成电路

KJ001KC01

双列直插14或18引

脚封装，输出脉宽100μs~3.3ras可调，用于单相半波可控整流电路、双电源工作

工作电压：±15V

负载能力：15mA

航天部691厂

陕西高科电力电子公司

KJ004KJ009KC09KC04

适用于单相、三相全控

桥式供电装置中作晶闸管的双路脉冲移相触发，本身输出两路相差180°的移相脉冲，双列直插16引脚封装，正负双电源工作，移相范闺大于170°

工作电源电压：±15V

同步电压可为任意值

脉冲宽度：400μs~~2ms

负载能力：15mA

航天部691厂

上海电器科学研究所

陕西高科电力电子公司

KJ005

KC05

是KJ006的一种特殊

情况，没有自生电源、不

能直接用在交流用电的场合，在外加同步信号和直流电源情况下，可用于

双向晶闸管或反井联晶闸管的相位控制

工作电源电压：+15V

输出脉冲宽度：190us~2ms

负载能力：200mA

航天部691厂

上海电器科学研究所

陕西高科电力电子公司

KJ006

KC06

适用于交直流电源直接供电的双向晶闸管或反并联晶闸管线路的交

流相位控制，不需同步信号及输出脉冲变压器和外接直流工作电源便可

由交流电网直接供电，具有移相控制电压与同步电压失去交点后保证不丢失脉冲的失交保护功

能、输出电流大的特点，可用于半控或桥式全控线路的相位控制，16引

脚双列直插式封装

自生直流电源：+12V~14V

外接直流电源电压：+15V

最大负载能力：200mA

输出脉冲宽度：100μs~2tos

上海电器科学研究所

航天部691厂陕西高科电力

电子公司

功率晶闸管移相触发专用集成电路

KJ008KJ007KC07KC08

晶闸管过零触发器，可使双向晶闸管在电源电压或电流为零的瞬间进行触发，采用标准的双列直插式14引脚封装，可用于温度控制、单相或兰相电机和电器的无触点开关控制

最大负载能力：50mA

零检测端输入最大电流：8mA

工作电源电压：+12~+16V

航天部691厂

上海电器科学研究所

陕西高科电力电子公司

KJ041KC041

六路双脉冲形成器，具有双脉冲形成和电子开关控制封锁功能，使用两块有电子开关控制的

KJ041电路组成逻辑控制，适用于电机正反转控制系统

工作电源电压：+15V

脉冲输出负载能力：20mA

控制端正向电流：3mA

KJ042KC042

适用于三相或单相晶问管可控电路的脉冲列调制源，脉冲占空比可调，输出脉冲调节范

宽，可用作方波发生器。双列直插式14引脚封装

工作电源电压；+15V

输入端正向电流：2mA

最大输出负载能力：12mA

调制脉冲频率：5~10kHz

TCA785KJ785

单片晶闸管移相触发集成电路，输出两路相差180°的触发脉冲，可在0~180°之间移相，可用来控制晶啊管或晶体管，引脚与TCA780、TCA780A

完全互换

工作电源电压：-0.5～+18V

最大脉冲负载电流：400mA

输出脉冲宽度：30μs~180°-c

同步输入电流：500pA

德国Siemens公司

陕西高科电力电子公司

功率晶问(管移(相触发专用集成电路

TC787

采用先进的IC工艺设计制作，可单电源亦可双电源工作，适用于三相晶闸管的移相触发，是TCA785及

KJ系列触发电路的换代产品，一片电路可取代三块TCA785与KJ041及KJ042或五块KJ系列电路

组合才具有的功能

工作电源电压：VDo=0.5~18V

输人端电压：

0.5V~VDD

最大脉冲负载能力：300mA

同步信号频率：10~1000Hz

陕西高科电力电子公司

TH101[

适用于单相、三相全控桥式供电装置中作晶闸管的双路脉冲移相烛发，输出两路相差180°的移相脉冲，不需要外围电路，使用十分方便，单列直插式16引脚厚膜集成电路封装

工作电源电压；±15V

同步电压：30V

锯齿波幅度>10V

输出脉冲宽度：400pis~2ms

输出脉冲电流幅值：≥1A

陕西高科电力电子公司

TH103

采用混合厚膜集成电路工艺技术制造，抗干扰能力强，体积小，输出六路相隔60°的触发脉冲，适用于三相全控桥式整流电路，双反星形带平衡电抗器电路和三相半控桥整流电路中作晶闸管的触发，输出为脉冲列，可使脉冲变压器的体积缩小，且不需功率放大便可直接带动脉冲变压器，输出峰值电流最大可达2A,适

用于直接触发1500A以内的晶问管。自身具有封锁逻辑，可用来进行故障状态下的保护

工作电源电压：+8～+18V

同步电压：三相均为30V

移相控制电压：0~12V

输入脉冲幅值：最大值>2A

输出脉宽：100μs~1ms

陕西高科电力电子公司

西安电力电子技术设备开发公司

功率晶闸齊移相触发专用集成电路

KM-18-3

单列直插式厚膜电路封装，外形尺寸及引脚间距符合国际标准，内部由TCA785、运算放大器、晶体管和阻容元件构成，输

出脉冲电流可达1.5A、且应用了补脉冲，输出为

双脉冲，内部加入了抗干

扰电路，抗干扰能力强

电源电压：+15V

同步电压：任意值

移相范围：180°

输出脉冲幅度：≥12V

输出脉冲前沿：≤las

允许使用温度：-10~+70℃

陕西高科电力电子公司

西安科谊电子有限公司

大功率晶体管(GTR)的基极驱动集成电路

UAA4002

标准双列直插式16引脚单片集成电路，可对被

驱动GTR进行快速有效的分散式就地保护，并保

证被驱动GTR运行于准饱和的理想临界状态

工作电源电压：—6~-7V

十8～+10V

正向驱动电流最大值：1.5A

反向驱动电流最大值：3.5A

法国THOMO-SON公司

陕西高科电力电子公司

UAA40-03

标准双列直插式16引脚单片集成电路，可对被

躯动GTR进行最优驱动及完善的保护，保证被驱

动GTR运行于临界饱和的理想状态，自身含有PWM脉冲形成单元，故与GTR配合特别适用于直流斩波器系统

工作电源电压：-5~-7V

+8~+12V

正向驱动电流最大值：1.5A

反向驱动电流最大值：3.5A

输出PWM脉冲顺率：

100Hz～几干赫兹

法国THOMO-SON公司

大功率晶体管(FR)的基极驱动集成电路

HL201

HL201适用于75A以内

的GTR直接驱动、属国内首创，达到国际80年代末先进水平，内部设置了微分变压器实现信号隔离，具有响应速度快的优点，有贝克钳位端可实现贝克钳位，双电源工作，输人与输出间绝缘隔离，单列直插式16引脚厚膜电路封装

工作电源电压：

-5~-7V,+8～+10V

输入驱动信号：>10V,<5mA

最大输出电流；≥士2.5A

输入输出间隔离电压：≥2500V

陕西高科电力

HL202

在HL201的基础上增加了退饱和保护和负电源电压的欠电压保护，内置光耦合器实现信号隔离，隔离性好，输出功率大，可驱动100A以内GTR,附加放大

工作电源电压：+8～+10V

-5.5～-7V

最大输出电流>2.5A

负电源欠电压保

后可驱动400A以内的GTR,单列直插式20引脚标准厚模电路封装

护电压：5±0.5V输入驱动信号：

>13V,<50mA

电子公司

大功事门极可关断(9

专为GTO晶闸管门极

驱动而设计的厚膜前级壑动器，它能产生触发GTO晶闸管驱动器的三组触发脉冲，可用来组装600A及600A以上的GTO晶闸管

工作电源：两个独立的15V直流

输入驱动信号：>13V,<20mA

70)晶闸管门极驱动集成电路

HL301

门极驱动器，使GTO晶闸管驱动器的可盆性增加，把驱动器中触发部分所占的位置大大减小，为在GTO晶阐管驱动器中增加更多的保护、显示功能创造了条件，标准的单列直插式20引脚厚膜电路封装

输人输出隔离电压：>2500V

正强脉冲触发信号：高电平为

+11V、2A,低电平为一3V、1A

大功率MOSFTT和GH春极驱动集成电路

HL401

具有响应迅速、隔离电压高、抗干扰性能好等优点，适用于IGBT、MOSFET的驱动，性能优于三菱公司的M57957L,内置微分变压器实现信号隔离，开通延迟及上升廷迟时间之和小于0.5ps,关断延迟时间及下降时间<les,输出正负脉冲电流的峰值电流大，适用于600V、300A及1200V、150A以内的IGBT驱动

供电电压：+15～+18V,-6~-12V

输出峰值电流

(40kHz、脉宽2j1s时):>±2.5A

输入输出隔离电压：>2500V

工作频率：40kHz

输入输出响应时间：<1μs

陕西高科电力电子公司

IR2110

应用独有的高压巢成电路及无闩锁CMOS技术生产的MOSFET及IGBT专用驱动集成电路，内部为自举操作设计了悬浮电源，可驱动逆变器中同桥臂的两个1GBT或MOSFET,标准双列直插式14引脚封装

输出门极驱动电流最大值：2A

最高工作频率：>40kHz

最高通断电压：500V

输入与CMOS及TTL兼容

美国国际整流器公司

陕西高科电力电子公司

IR2125

高速高压MOS门极驱

动器集成电路，可直接用于母线工作电压为500V的系统中，驱动N沟道MOSFET或IGBT一单元，内部含有故障封锁端，单一标准的双列直插式8引脚封装集成电路

可工作母线敢高工作电压：500V

输入与TTL及CMOS兼容

自身工作电源电压：

VB=0.5~20V

输出驱动电流：V。=VB±0.5V

大功率M0SHET和16BT情极驱动集成电路

1R2151

应用悬浮及自举技术设计，可用于母线工作电压为600V的场合，内部具有封锁逻辑和PWM脉冲形成

单元，是为单相半桥逆变器驱动而设计的，可直接驱动单相半桥逆变器中的两个MOSFET或1GBT,标准的

双列直插式8引脚封装，为了避免逆变桥中同桥膏的两个功率器件发生直通短路，内部电路可为被驱动的两个棚极信号提供las的互锁间隔时间

工作母线电压：500V

占空比：50%

输出电压：10~15V

上升及下降时间典型值：100ns(上升)与50ns(下降)死区时间：lμs

美国国际整流器公司

陕西高科电力电子公司

应用高压悬浮工艺制作的廉价功率MOSFET及IGBT栅极驱动器，它可同时驱动逆变桥中同桥臂的

两个上通道及下通道的MOS栅功率器件，自身集成有振荡源，可产生PWM

工作母线电压：600V

振荡频率：直流

IR2155

脉冲，输出PWM脉冲的占空比可以在0~99%范围

内调节，内部集成的互锁逻辑可保证被驱动逆变桥的上下两个MOS榭功率器

件的幡极信号之间具有

lμs的互锁延时，标准的双列直插式8引脚封装

~80kHz

占空比(最大),99%

死区时间：Ius

大功率≤5和3H橱极驱动集成电路

EXB840

为驱动高达150A、600V

的1GBT和75A、1200V的IGBT而设计的单列直插

式15引脚厚膜驱动电路，驱动电路的信号延迟<

lμs,适用于高达40kHz的开关电路中工作.内部集成有故障及低速切断封锁逻辑

工作电源电压：20V

最大负载能力：25mA

最高工作频率：40kHz

日本富士公司

陕西高科电力电子公司

EXB841

设计用来驱动功率为

600V、400A及300A、

1200V以内的KGBT.驱动

电路信号延迟≤lμs,适用

于高达4CkHz的开关电路

中工作，内部集成有过电流

保护及故障低速切断逻辑，

管脚排列为标准的单列直

插式15引脚厚膜集成电路

T作电源电压20V

最大负载能力：47mA

最高工作频率：40kHz

HL402AHL402B

具有降栅压及软关断双重保护功能，它的降橱压延迟时间、降橱压时间、软关断斜率均可通过外接电容器进行整定，能适应不同饱和压降1GBT的驱动，且内置有静电屏蔽层的高速光耦合器实现信号隔离，抗干扰能力强，响应速度快，隔离电压高，采用标准的单列直插式17引脚厚膜工艺封

装，可直接驱动150A、1200V以内的IGBT

工作电源电压：Vcc:为15一18V,VEE为一10~-12V

输人驱动信号：≥10mA~≤20mA

降栅压及软关断门槛，8±0.5V和8.5±0.8V

降栅压报警信号延迟时间及软关断信号延迟时间：

≤lμs

陕西高科电力电子公司