BJT是双极结型晶体管Bipolar Junction Transistor的简写，又称为半导体三极管。它有三个电极，常见的BJT外形如图1所示，图2是一种BJT的实物图片。

根据结构不同，BJT一般可分成两种类型：NPN型和PNP型。NPN型BJT结构示意图、管芯剖面图及表示符号如图3所示。半导体的三个区域分别称为发射区、基区和集电区；三个区域引出的三个电极分别叫做发射极e、基极b和集电极c；发射区与基区间的PN结称为发射结，基区与集电区间的PN结称为集电结。

BJT的结构特点 

发射区：杂质浓度很高；基区：很薄且杂质浓度很低；集电区：面积很大。     

图4是PNP型BJT结构示意图和符号。

BJT工作于放大状态的条件：

1．器件内部条件：在制造工艺上要求发射区掺杂浓度高，基区很薄且杂质浓度低；集电区面积大，且掺杂浓度低于发射区。

2．外部电路条件：要使发射结正向偏置，集电结反向偏置。以共基电路为例，外加电压如下图所示。图中VBB使发射结正偏，VCC使集电结反偏。

BJT的三个工作区

1、截止区：

工作条件：发射极电压小于导通电压Vth， 对于共射电路有：vBE< Vth，vCE> vBE。 

特点：IB=0，iC»0。

2、放大区

工作条件：发射结正向偏置且大于导通电压，集电结反向偏置。对共射电路而言，vBE>Vth，vCE>vBE。于是， 。iC的值与vCE无关，仅受IB控制。 

特点：DiC=bDIB

3、饱和区：

工作条件： 。（ICS是集电极最大电流，对于共射电路有 ）

特点：发射结与集电结均处与正向偏置，即vBE >Vth，vCE>vBE ，此时iC不仅与IB有关且与vCE有关，iC随vCE的增加而增加。DiC≠βDIB， 。

BJT的主要参数

一、直流参数

1．共射直流电流放大系数 （）        

2．共基直流电流放大系数（ ）     

3．极间反向电流ICBO和ICEO 

ICBO是发射极开路时，集电结的反向饱和电流。ICEO是基极开路时，集电极与发射极间的穿透电流， 。

选用BJT时要选择ICBO、ICEO尽可能小，、不要过大的管子。硅管的ICBO和ICEO比锗管小，所以硅管的温度稳定性比锗管好。

二、交流参数

1．共射交流电流放大系数（b ）           

2．共基交流电流放大系数（a ）           

在近似分析时，可认为 。

3．特征频率fT：当考虑BJT的结电容影响时，BJT的电流放大系数b随工作频率f 的升高而下降。当b下降为1时所对应的信号频率为特征频率fT。

三、极限参数

1．集电极最大允许电流ICM 

            ICM是指BJT的参数变化不超过允许值时集电极允许的最大电流。

2．集电极最大允许功率损耗PCM 

            PCM表示集电结上允许损耗功率的最大值。超过此值就会使管子性能变坏或烧毁。

PCM= iCvCE  

3．反向击穿电压

  ① V（BR）EBO 

          V（BR）EBO 是指集电极开路时发射极-基极间的反向击穿电压。

  ② V（BR）CBO 

          V（BR）CBO 是指发射极开路时集电极-基极间的反向击穿电压。

  ③ V（BR）CEO

          V（BR）CEO 是指基极开路时集电极-发射极间的反向击穿电压。V（BR）CEO<< V（BR）CBO。

各击穿电压大小之间有如下的关系：

V（BR）CBO> V（BR）CES> V（BR）CER> V（BR）CEO

放大电路组成原则

组成放大电路时，必须遵循的原则是：

1．设置直流电源，为电路提供能源。

2．电源的极性和大小应保证BJT发射结处于正向偏置，而集电结处于反向偏置，使BJT工作在放大区。(对于场效应管放大电路，则应使之工作在恒流区)。

3．电路中电阻的取值与电源电压配合，使BJT有合适的静态工作点，避免产生非线性失真。

4．输入信号要有效传输，且能作用于放大管的输入回路。

5．接入负载时，必须保证负载获得比输入信号大得多的电流信号或电压信号。

本章小结

· 半导体三极管是由两个PN结组成的三端有源器件。有NPN型和PNP型两大类，两者电压、电流的实际方向相反，但具有相同的结构特点，即基区宽度薄且掺杂浓度低，发射区掺杂浓度高，集电区面积大，这一结构上的特点是三极管具有电流放大作用的内部条件。

· 三极管是一种电流控制器件，即用基极电流或发射极电流来控制集电极电流，故所谓放大作用，实质上是一种能量控制作用。放大作用只有在三极管发射结正向偏置、集电结反向偏置，以及静态工作点的合理设置时才能实现。

· 三极管的特性曲线是指各极间电压与各极电流间的关系曲线，最常用的是输出特性曲线和输入特性曲线。它们是三极管内部载流子运动的外部表现，因而也称外部特性。

· 器件的参数直观地表明了器件性能的好坏和适应的工作范围，是人们选择和正确使用器件的依据。在三极管的众多参数中，电流放大系数、极间反向饱和电流和几个极限参数是三极管的主要参数，使用中应予以重视。

结型场效应管的结构(FET)